台积电公开5nm工艺 频率提升15%

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Intel 10nm工艺根据各种消息来看肯定是难产了,而就目前来开台积电和三星已经开始量产7nm,自然作为技术的储备5nm也肯定提上了日程,近日台积电公开了5nm的部分关键指标。

 

明年,台积电的第二代7nm工艺会在部分非关键层面上首次尝试使用EVU极紫外光刻系统,工艺节点从CLN7FF升级为CLN7FF+,号称晶体管密度可因此增加20%,如果选择了同样的晶体管密度和频率的话,功耗可降低10%。

 

台积电5nm(CLN5)将继续使用荷兰ASML Twinscan NXE: 3400 EUV光刻机系统,扩大EUV的使用范围,晶体管密度相比于第一代7nm工艺可增加80%,相比第二代增加50%。

虽然密度加了这么高,但是据台积电所说,目前的工艺带来的实际频率提升只有15%,在保证密度和频率不变的情况下,功耗也只能降低20%,这还仅仅适合第一代7nm工艺的对比。

 

但台积电还同时推出了,极低阈值电压ELTV技术,号称能将频率提升幅度增加到25%。

 

就目前来看EUV光刻掩膜材料仍然处于开发阶段,目前极紫外线的通透率只有83%。

 设备方面,台积电将为5nm开设一座新的晶圆厂,引入多台新光刻机,只是目前EUV光刻机的日常功率只有145W,还需要进一步改进。

 

在推仔看来,就这次台积电公开出来的数据来看,新一代的5nm工艺并不是很乐观,提升太小了,也不知道是不是因为台积电自己在工艺命名方面太过随意,随随便便就推进了一步,导致大家觉得性能提升并不符合预期。

 

 


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